在電子設備研發、生產與運維過程中，芯片、電路板的局部過熱故障是導致設備性能下降、壽命縮短甚至燒毀的主要原因，而傳統檢測方法難以快速定位微小區域的過熱問題。鎖相紅外熱成像系統憑借高空間分辨率與高溫度靈敏度，成為電子設備過熱故障檢測的高效工具。檢測時，系統對電子設備施加周期性電激勵（如模擬設備正常工作時的負載電流），此時芯片內的晶體管、電路板上的焊點等若存在接觸不良、短路、老化等問題，會因電阻異常增大產生局部過熱，形成與激勵同頻的熱響應。系統通過紅外焦平面陣列捕捉這些細微的熱信號，經鎖相處理后生成清晰的熱圖像，可精細定位過熱區域，溫度測量精度達 ±0.1℃，空間分辨率可識別 0.1mm×0.1mm 的微小過熱點。在手機芯片研發中，該系統可檢測芯片封裝過程中的散熱通道堵塞問題；在服務器運維中，能快速發現主板上老化的電容導致的局部過熱，為電子設備的可靠性設計、生產質量管控與故障排查提供了關鍵技術支持。致晟 Thermal 用 InGaAs 探測器，900-1700nm 波段量子效率 70%+，捕微弱熱輻射。中波鎖相紅外熱成像系統范圍

LIT 即 Lock-in Thermography（鎖相熱成像）技術，是半導體失效分析領域的檢測技術之一，而致晟光電的實時瞬態鎖相熱分析系統（RTTLIT）則是基于 LIT 技術的專有的升級方案，在傳統技術基礎上實現了 “實時性” 與 “瞬態分析” 的雙重突破。傳統 LIT 技術雖能通過鎖相原理過濾噪聲，但在信號響應速度與瞬態缺陷捕捉上存在局限，致晟 RTTLIT 則通過自主研發的周期性激勵源控制算法，可根據待測樣品（如 IC 芯片、IGBT 模塊）的特性，動態調整電信號激勵頻率（范圍覆蓋 1Hz-10kHz），讓目標物體產生同步且穩定的熱響應。失效分析鎖相紅外熱成像系統大全非接觸檢測，保護樣品原始狀態。

鎖相紅外熱成像系統是融合鎖相技術與紅外熱成像技術的失效檢測設備，其主要原理是通過向被測目標施加周期性激勵信號，利用鎖相放大器對目標表面產生的微弱周期性溫度變化進行精確提取與放大，從而結合紅外熱成像模塊生成高對比度的熱分布圖像。相較于傳統紅外熱成像設備，該系統比較大優勢在于具備極強的抗干擾能力 —— 能夠有效過濾環境溫度波動、背景輻射等非目標噪聲，即使目標表面溫度變化為毫開爾文級別，也能通過鎖相解調技術精確捕捉。

相比傳統熱成像設備，鎖相紅外熱成像系統憑借其鎖相調制與相位解調技術，提升了信噪比和溫差靈敏度，能夠在極低溫差環境下捕捉微弱的熱信號。其高對比度的成像能力確保了熱異常區域清晰顯現，即使是尺寸為微米級的熱缺陷也能被準確定位。系統配備高性能的中波紅外探測器和高數值孔徑光學鏡頭，兼顧高空間分辨率和寬動態范圍，適應不同復雜結構和應用場景。強大的時空分辨能力使得動態熱過程、熱點遷移及瞬態熱響應都能被實時監測，極大提高了熱診斷的準確性和效率，為電子產品的研發與質量控制提供堅實保障相比傳統紅外，鎖相技術能實現更深層次的熱缺陷探測。

鎖相紅外技術則通過 “頻域分析” 與 “選擇性觀察” 突破這一困境：它先對檢測對象施加周期性的熱激勵，再通過紅外熱像儀采集多幀溫度圖像，利用數字鎖相技術提取與激勵信號同頻的溫度變化信號，有效濾除環境噪聲、相機自身噪聲等干擾因素，確保檢測信號的純凈度。這種技術不僅能持續追蹤溫度的動態變化過程，還能根據熱波的相位延遲差異定位亞表面缺陷 —— 即使缺陷隱藏在材料內部，也能通過相位分析精細識別。例如在半導體芯片檢測中，傳統靜態熱成像可能因噪聲掩蓋無法發現微米級導線斷裂，而鎖相紅外技術卻能清晰捕捉斷裂處的微弱熱信號，實現從 “粗略測溫” 到 “精細診斷” 的跨越。隨著半導體行業向高密度、高功率方向發展，鎖相紅外將成為保障產品質量的關鍵支撐，市場需求持續增長。非制冷鎖相紅外熱成像系統哪家好

紅外探測器同步采集樣品表面的熱輻射；中波鎖相紅外熱成像系統范圍

在實際應用中，致晟光電的鎖相紅外檢測方案大多用于IC芯片、IGBT功率器件、MEMS器件以及復合材料等多個領域。例如，在芯片失效分析中，鎖相紅外能夠快速識別引腳短路與漏電流路徑，并通過相位分析定位至具體區域，幫助研發人員在短時間內找到失效根因。在功率器件檢測中，該技術可識別IGBT模塊中的局部熱點，防止因熱失控導致的器件擊穿，從而為新能源汽車、電力電子設備的可靠運行提供保障。在材料研究中，鎖相紅外能夠探測肉眼不可見的分層與微裂紋，輔助科研人員優化材料工藝。通過這些落地場景，致晟光電不僅為客戶節省了研發與測試成本，更推動了整個行業的質量標準向更高層次發展。中波鎖相紅外熱成像系統范圍